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| 本发明公开了一种双条形氮化硅波导及其制备方法，该波导包括：硅基底；均匀覆置于所述硅基底上表面的第一SiO<Sub>2</Sub>包覆层；位于所述第一SiO<Sub>2</Sub>包覆层上表面的双条形Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>波导结构；所述双条形Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>波导结构被第二SiO<Sub>2</Sub>包覆层包裹；其制备过程通过在硅基底热氧工艺形成第一SiO<Sub>2</Sub>包覆层；依次生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层/αSi层/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层；通过光刻/离子束刻蚀形成αSi/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>双条形氮化硅波导结构；采用湿法刻蚀部分去除夹层中的αSi材料，利用氮化硅材料高温抗氧化的性质，再热氧化留下的αSi形成SiO<Sub>2</Sub>；最后利用PECVD工艺生长第二SiO<Sub>2</Sub>包覆层，从而制作出双条形氮化硅形波导。 |
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